7.0 x 5.0毫米SMD LVPECL/LVDS/HCSL晶体振荡器
分类:
• 外形尺寸7.0x5.0x1.45mm • 体积小、可靠性高 • 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz • 工作温度范围宽:40~+125℃
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产品详细信息
特征
• 外形尺寸7.0x5.0x1.45mm
• 体积小、可靠性高
• 低相位抖动:0.3 pS RMS@12kHz-20MHz
• 工作温度范围宽:40~+125℃
典型应用
• 可广泛应用于工业通讯、导航、雷达等领域
尺寸
电性能参数
技术指标 | LVPECL | LVDS | 单位 | |||||||
3.3伏 | 2.5伏 | 3.3伏 | 2.5伏 | |||||||
Min | Max | Min | Max | Min | Max | Min | Max | |||
工作电压(VDD) | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | V | |
输出频率 | 10 | 320 | 10 | 320 | 10 | 320 | 10 | 320 | MHz | |
标称频率 | 77.76，106.25，125，155.52，156.25，187.5，212.5，312.5 | |||||||||
输入电流 | 10MHz ≤ Fo<160MHz | - | 75 | - | 75 | - | 50 | - | 50 | mA |
160MHz ≤ Fo<250MHz | - | 100 | - | 100 | - | 50 | - | 50 | ||
250MHz ≤ Fo<320MHz | - | 100 | - | 100 | - | 65 | - | 65 | ||
输出电平 | 启用(高电平或悬空) | 2.275 | - | 1.475 | - | - | 1.6 | - | 1.6 | V |
禁用(低电平或接地) | - | 1.68 | - | 0.88 | 0.9 | - | 0.9 | - | ||
过渡时间: 上升/下降时间 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | 纳秒 | |
启动时间 | - | 10 | - | 10 | - | 10 | - | 10 | 毫秒 | |
三态 | 启用 (高电压或浮动) | 2.31 | - | 1.75 | - | 2.31 | - | 1.75 | - | V |
禁用 (低电压或GND) | - | 0.99 | - | 0.75 | - | 0.99 | - | 0.75 | ||
老化率 (@ 25 °C，第一年) | - | ± 3 | - | ± 3 | - | ± 3 | - | ± 3 | ppm | |
存储温度 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
相位噪声@156.25 MHz | 100赫兹 | -100 | -100 | -100 | -100 | dBc/Hz | ||||
1 kHz | -130 | -130 | -130 | -130 | ||||||
10 kHz | -145 | -145 | -145 | -145 | ||||||
相位抖动均方根 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) | Fo<80MHz | - | 1 | - | 1 | - | 1 | - | 1 | pSec |
80MHz ≤ Fo<125MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | ||
125MHz ≤ Fo<170MHz | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | ||
170MHz ≤ Fo<200MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | - | 0.5 | ||
200MHz ≤ Fo | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | - | 0.3 | ||
参数 | HCSL | 单位 | ||||
3.3伏 | 2.5伏 | |||||
Min | Max | Min | Max | |||
电源电压变化 (VDD) | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | V | |
频率范围 | 25 | 175 | 25 | 175 | MHz | |
标准频率 | 100 | |||||
电源电流 | 25MHz ≤ Fo<175MHz | - | 50 | - | 50 | mA |
输出电平 | 输出高 | 0.6 | - | 0.58 | - | V |
输出低 | - | 0.15 | - | 0.15 | ||
过渡时间: 上升/下降时间 | - | 0.5 | - | 0.5 | 纳秒 | |
启动时间 | - | 10 | - | 10 | 毫秒 | |
三态 | 启用 (高电压或浮动) | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | V |
禁用 (低电压或GND) | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | ||
老化 (@ 25 °C，第一年) | - | ± 3 | - | ± 3 | ppm | |
存储温度范围 | - | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
RMS相位抖动 (Intergrated 12 KHz ~ 20MHz) | 25MHz ≤ Fo<175MHz | - | 0.5 | - | 0.5 | pSec |
标准频率是晶体设计的频率，并不表示存货状况。
+转接时间是在电源电压20%-80%变化范围内测量的
频率稳定度vs.温度范围
温度 (℃) / ppm | ± 25 | ± 50 |
-10 ~ 60 | ⚪ | ⚪ |
-20 ~ 75 | ⚪ | ⚪ |
-40 ~ 85 | ▲ | ⚪ |
-40 ~ 125 | ❌ | ⚪ |
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不可提供
* 包括25℃，工作温度范围,输入电压变化,负载变化,老化率《第一年),冲击和胞动条件下校准。
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供。
规格如有更改，恕不另行通知。
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