2.0 x1.6毫米CMOS晶体振荡器
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• 外部尺寸: 2.0 x1.6 x0.75毫米 • 体积小，可靠性高 • 宽电源电压: 1.7-3.6V
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产品详细信息
特点
• 外部尺寸: 2.0 x1.6 x0.75毫米
• 体积小，可靠性高
• 宽电源电压: 1.7-3.6V
典型应用
• 广泛应用于工业通信、导航、雷达等领域
• AEC-Q100&AEC-Q200适用
尺寸
电性能参数
技术指标 | 3.3伏 | 2.5伏 | 1.8伏 | 单位 | ||||
Min | Max | Min | Max | Min | Max | |||
工作电压 (VDD) | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | VDD-5 % | VDD + 5% | V | |
输出频率 | 1 | 125 | 1 | 125 | 1 | 125 | MHz | |
输入电流 | 在15pF负载时 | - | 25 | - | 25 | - | 20 | mA |
无负载时，1mhz ≤ fo<10MHz | - | 1.0 | - | 1.0 | - | 0.75 | mA | |
无负载时，10mhz ≤ fo<20MHz | - | 1.0 | - | 1.0 | - | 0.75 | mA | |
无负载时，20mhz ≤ fo<80MHz | - | 1.3 | - | 1.3 | - | 1.0 | mA | |
无负载时，80mhz ≤ fo<125MHz | - | 6 | - | 6 | - | 3 | mA | |
占空比 | 45 | 55 | 45 | 55 | 45 | 55 | % | |
输出电平 | 输出高电平 | 2.97 | - | 2.25 | - | 1.62 | - | V |
输出低电平 | - | 0.33 | - | 0.25 | - | 0.18 | ||
过渡时间: 上升/下降时间 | 1.25MHz ≤ Fo<10MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | 纳秒 |
10MHz ≤ Fo<20MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | 纳秒 | |
20MHz ≤ Fo<80MHz | - | 4 | - | 5 | - | 6 | 纳秒 | |
启动时间 | - | 4 | - | 5 | - | 6 | 毫秒 | |
三态 | 启用(高电平或者悬空) | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | 0.7VDD | - | V |
禁用(低电平或接地) | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | - | 0.3VDD | ||
输出负载 | 15 | 15 | 15 | pF | ||||
待机电流 | - | 100 | - | 100 | - | 100 | uA | |
老化率 (@ 25 °C，第一年) | - | ± 3 | - | ± 3 | - | ± 3 | ppm | |
存储温度 | -55 | 125 | -55 | 125 | -55 | 125 | ℃ | |
抖动 (vp-p) | - | 40 | - | 40 | - | 40 | pSec | |
相位抖动均方根 (12khz ~ 20MHZ） | - | 40 | - | 40 | - | 40 | pSe | |
温度 (℃) / ppm | ± 20 | ± 25 | ± 50 |
-10 ~ 60 | ⚪ | ⚪ | ⚪ |
-20 ~ 70 | ⚪ | ⚪ | ⚪ |
-40 ~ 85 | ▲ | ⚪ | ⚪ |
-40 ~ 125 | ❌ | ❌ | ⚪ |
⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不可提供
注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供，规格如有更改，怒不另行通知。
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